Accueil > Français > Annuaire

PORTIER Xavier

Professeur
Téléphone : (33) 02 31-45-25-84
email
Équipe de recherche : NIMPH

Tutelle d’appartenance : Ensicaen
Localisation : Cimap Ensicaen, Bureau X


Xavier PORTIER a obtenu le grade de Docteur en Sciences des matériaux en Juillet 1995 à l’Université de Caen Basse Normandie et ses travaux de thèse ont porté sur l’analyse des phénomènes de ségrégation et de précipitation d’impuretés métalliques aux joints de grains dans le silicium. Il a notamment réalisé une étude approfondie par microscopie électronique en transmission haute résolution des structures atomiques d’interfaces entre des précipités de NiSi2 et Si. De 1996 à 1999, il a occupé un poste de chercheur à l’Université d’Oxford au Département des matériaux où il a œuvré sur les matériaux métalliques en couches minces dédiés au stockage de l’information, en collaboration avec les laboratoires de Hewlett Packard à Palo Alto (Californie). Il a réalisé des expériences in situ inédites en microscopie de Lorentz sur des éléments de vannes de spin actives. En Septembre 1999, il a été nommé Maître de conférences à l’Université de Caen Basse Normandie et travaillé sur les nanostructures à base de silicium. Entre Octobre 2002 et Août 2004, il a fait partie du Département d’analyses des matériaux de IBM à San Jose (Californie) dans le but de mieux comprendre et optimiser les performances des têtes de lectures et des disques durs informatiques en utilisant la microscopie électronique analytique et en haute résolution. Enfin, en 2006, il a été nommé Professeur des Universités à l’école d’ingénieurs ENSICAEN et il mène actuellement au CIMAP des recherches sur la croissance de couches minces d’oxydes transparents conducteurs (Ga2O3, ZnO) dopés avec des terres rares en vue d’applications dans le domaine de la photonique. Il est auteur ou co-auteur de plus de 106 publications dans des revues de renommée internationale.

Publications :

  • Energy transfer mechanism between terbium and europium ions in zinc oxide and zinc silicates thin films, C. DAVESNNE, A. ZIANI, C. LABBE, P. MARIE, C. FRILAY and X. PORTIER, Thin Solid Films, 2014, 553, 33-37.
  • Charge Trapping in Hafnium Silicate Films with Modulated Composition and Enhanced Permittivity, L. KHOMENKOVA, X. PORTIER, A. SLAOUI and F. GOURBILLEAU, Advanced Materials Research, 2013, 854, 125
  • Thickness-dependent optimization of Er3+ light emission from SRSO thin films, S. CUEFF, C. LABBE, O. JAMBOIS, X. PORTIER and R. RIZK, Nanoscale Research Letters, 2011, 6, 395.
  • Spectroscopy of Yb3+ : CaF2 : From isolated centers to clusters, V. PETIT, P. CAMY, J.L. DOUALAN, X. PORTIER and R. MONCORGE, Phys. Rev. B, 2008, 78, 85131.
  • Si/SiO2 nanostructured multilayers by reactive magnetron sputtering, F. GOURBILLEAU, X. PORTIER, C. TERNON, P. VOIVENEL and R. RIZK
    Appl. Phys. Lett., 2001, 78, 3058.