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Descriptif MOS35

par CHAUVAT Marie-pierre - publié le , mis à jour le

« MOSFET à base de matériaux à faible bande interdite pour une électronique haute fréquence ultra basse consommation destinée aux objets communicants automones ».

ANR (2009-2012) en collaboration avec Institut d’Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (Partenaire coordinateur) IEMN–Nantes, Institut d’Electronique Fondamentale (IEF–Orsay), CEA Institut LETI–Grenoble, OMMIC

no projet : ANR-08-NANO-022, 1er janv 2009 au 30 septembre 2012

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