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Accueil du site > Equipes de Recherche > SIMUL Simulation > Propriétés optiques et photoluminescence de semiconducteurs immergés dans un isolant
Propriétés optiques et photoluminescence de semiconducteurs immergés dans un isolant
Les propriétés optiques dépendent fortement des propriétés structurales des matériaux ; des défauts comme les joints de grains jouent donc un rôle important. La photoluminescence est étudiée par une approche phénoménologique par des équations maîtresses. La structure atomique et la structure électronique du grain et de l’interface grain/matrice sont étudiées par une approche MD et DFT. Cette approche permet également d’étudier l’effet de la présence d’une impureté (terre rare) dans la matrice. Ces travaux concernent l’étude des nitrures GaN, AlN et la luminescence d’ions de terres rares immergés dans ces nitrures. La DFT est utilisée dans ce cas pour l’interprétation des spectres de luminescence observés expérimentalement.
