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Conférences et Séminaires

par CHAUVAT Marie-pierre - publié le , mis à jour le

> ECOMAT 2017, du mercredi 18 octobre 13h30 au vendredi 20 octobre 2017 12h00 à l’Ecole des mines d’Alès.

Christophe Poilâne, membre du comité d’organisation

  • Présentation orale : Le bois de pétiole de palmier, une matière valorisable, R. Benzidane, Z. Sereir, M. L. Bennegadi, P. Doumalin et Christophe Poilâne
  • Présentation orale : Influence du conditionnement à humidité relative sur le comportement de tissu quasi-UD de lin, Marwa ABIDA, Florian GEHRING, Jamel MARS, Alexandre VIVET, Fakhreddine DAMMAK et Mohamed HADDAR

> International Conference on Material Science and Engineering, IWMSE2017, September 8-10, 2017 Canton, Chine

Keynote : The structural properties of strained heterostructures in hexagonal symmetry semiconducting materials at atomic level, P. Ruterana

> Nanotechnology-2017, August 20-23, Dallas

Conférence invitée : Phase separation in the III-V semiconductors ternaries and quaternary : an ab initio and empirical potential study, Jun Chen

> ICNS’12 : 12th International Conference on Nitride Semiconductors, July 24-28, 2017, Strasbourg, France

  • Poster : Correlation between photoluminescence and structural properties in InGaN/GaN heterostructures, A. Minj, Q-T. Li, M. F. Romero, Y. Wang, O. Tuna, M. Feneberg, R. Goldhahn, G. Schmerber, C. Giesen, M. Heuken, P. Ruterana
  • Poster : Probing the electrical properties of thin nitride heterostructures below surface by electric force microscopy, A. Minj, A. Cros, N. Garro, P. Ruterana
  • Présentation orale : Kelvin probe force microscopy study of polarity and doping in III-Nitrides nanowiresy, A. Minj, N. Garro, A. Cros, T. Auzelle, J. Pernot, B. Daudin, P. Ruterana
  • Poster : The structure of InGaN/GaN QWs for long wavelength emission, N. Chéry, T. H. Ngo, M.P. Chauvat, A. Minj, B. Damilano, B. Gil, T. Grieb, M. Schowalter, K. Müller-Caspary, A. Rosenauer, and P.Ruterana
  • Poster : Theoretical calculations of miscibility of III-nitride quaternary alloy : Indium concentration region for the epitaxial growth of the InxAlyGa1-x-yN alloy, R. Mohamad, A. Béré, P. Gamarra, J. Chen and P. Ruterana
  • Poster : Basal plane inversion domain boundary in ZnO/GaN heterostructures, S. Q. Li, H. Lei, M. B. Ullah, V. Avrutin, Ü. Özgür, H. Morkoç, J. Chen and P. Ruterana
  • Présentation orale : Internal Quantum Efficiency in InGaN-GaN heterostructures emitting from blue to red, Thi Huong Ngo, Nicolas Chery, Pierre Valvin, Aimeric Courville, Philippe de Mierry, Benjamin Damilano, Pierre Ruterana and Bernard Gil
  • Poster : Incorporation of Europium into GaN nanowires by ion implantation, M. Peres, D.Nd. Faye, X. Biquard, E. Nogales, M. Felizardo, A. Redondo-Cubero, T. Auzelle, B. Daudin, L.H.G. Tizei, M. Kociak, P. Ruterana, B. Méndez, E. Alves, K. Lorenz

> JNC 20 – École des Ponts ParisTech – Champs sur Marne, 28 - 30 juin 2017

  • Poster : Aspect inélastique des composites lin/époxy, Gehring Florian, Haomiao Yang, Richard Fabrice, et Poilâne Christophe
  • Présentation orale : Composite stratifié hybride carbone/lin : caractérisation des renforts, Etonam Tossou, Alexandre Vivet, Thibaut Simon

> 3 rd INTERNATIONAL CONFERENCE ON NATURAL FIBERS Braga (Portugal) 21 st to 23 rd June 2017.

Présentation orale : Non linear behavior of flax/epoxy unidirectional composite, Haomiao Yang, Fabrice Richard, Florian Gehring, Christophe Poilane

> 5th International Conference on ADvances Electronic and Photonic Technologies, ADEPT, Podbanské, High Tatras, Slovakia, June 19 - 22, 2017

  • Conférence invitée : Probing the local electrical properties of III-nitride-based heterostructures by scanning probe microscopy, A. Minj, A. Cros, N. Garro, Piero Gamarra, C. Lacam and P. Ruterana
  • Présentation orale : Transmission electron microscopy of high electron mobility transistors for failure investigation, M-P. Chauvat, A. Minj, C. Dua, O. Patard, S. Delage and P. Ruterana

> Advanced Materials-2017, June 14-16, Xi’an, China

Conférence invitée : Investigations of High Indium Content InGaN/GaN Junctions Grown by MBE for Photovoltaic Response at Long Wavelengths, P. Ruterana
*Track 702 : Photovoltaics, Solar Energy, Artificial Photosynthesis Materials and Devices

> 20th Microscopy of Semi Conducting Materials, MSM XX, April 09-13, Oxford, UK

  • Conférence invitée : Atomic structure of extended defects in wurtzite semiconductors, P. Ruterana
  • Présentation orale : Local structure and composition versus optical properties of InGaN/gaN QWs for emission in and past the green gap, N. Chéry, N. T. Huong, M.P. Chauvat, B. Damilano, B. Gil, T. Grieb, M. Showalter, A. Rosenauer, and P.Ruterana
  • Poster : Structural disruption in InAl(Ga)N/GaN heterostructures, H. Ben Ammar, A. Minj, P. Gamarra, C. Lacam, M. Tordjman, M. Morales, M. P. Chauvat, and P. Ruterana

> Journée 2017 de la Recherche en Mécanique à l’Unicaen, Cherbourg, vendredi 16 juin 2017

Présentation orale : Composite Sandwich Biosourcé élaboré à partir de sous-produit de l’agriculture algérienne, Rachid Benzidane, Kaouter Hamamousse

Séminaires CIMAP sur invitation PM2E

> Séminaire : Jeudi 9 mars, CIMAP, Bât F, Amina BELKADI

Calculations of the dislocation density tensor and the incompatibility tensor using a new approach.
Physics Department, Computational Materials Science Laboratory, University of Sidi-Bel-Abbes, 22000 Algeria

Séminaire Amina Belkadi

> Séminaire : Vendredi 3 mars 2017, CIMAP, Bât F, Yi WANG

Measuring the cation and oxygen atomic column displacement at picometer precision.
Stuttgart Center for Electron Microscopy, Max Planck Institute for Solid State Research, Stuttgart, Germany

Séminaire Yi Wang