Rechercher
Partenaires
Partenaires
Accueil du site > Séminaires, Soutenances > Séminaires > 2008 > Characterization of a-plane GaN films grown on r-plane sapphire by electron microscopy
Characterization of a-plane GaN films grown on r-plane sapphire by electron microscopy
Vendredi 21 novembre à 10h - Bibliothèque du CIMAP-NORD
Yadira Arroyo Rojas Dasilva (Centre Interdisciplinaire de Microscopie Electronique - Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne - CH-1015 Ecublens, Suisse)
Dans la même rubrique :
- Les OLEDs : de nouvelles sources de lumière
- Positron spectroscopy of vacancy defects in nitride semiconductors
- Investigation of morphological peculiarities, crystal lattice defects and strain relaxation in group-III nitride epitaxial films
- The Effects of Spectral Phase on Photoassociation with Excitation
- Electron induced reactivity in ice deposits
- Simulation ab initio de la photoluminescence de la matrice Y2O3 dopée par l’ion Bi3+
- Interférences de type Young avec une source à électron unique et un interféromètre à l’échelle atomique
- Ices in the interstellar medium
- L’ énergie de fusion, le projet ITER et les défis technologiques associés
- Structures de molécules déterminées par couplage de la spectrométrie de masse à la spectroscopie infrarouge
- Photostability of solid and gas phase biomolecules within dense molecular clouds due to VUV and soft X-rays
- Eléments optiques diffractifs nanostructurés : Principe et applications des réseaux périodiques sub-longueur d’onde
