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LHOM (ANR + FEDER)

Couches d’InAlN et hétérostructures optimisées pour la future génération de transistors hyperfréquences de puissance

(InAlN Layers and InAlN Heterostructures for Optimized high electron Mobility transistors)

Coordinateur du projet : Magali Morales (Centre de recherche sur les ions, les matériaux et la photonique)
Aide de l’ANR: 684 689 euros; début: 1er Octobre 2014; durée : 36 mois.
référence : ANR-14-CE26-0022

Complément FEDER pour l’acquisition de deux équipements :
DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) et AFM (Microscope à Force Atomique)

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