Accueil > Annuaire

GOURBILLEAU Fabrice

Identité
Téléphone : (33) 02 31-45-26-74
fabrice.gourbilleau@ensicaen.fr
Équipe de recherche / Service : NIMPH

Tutelle d’appartenance : CNRS
Localisation : Cimap Ensicaen, Bureau ???




F. Gourbilleau est diplômé d’un doctorat en physique des matériaux de l’Université de Caen en 1993.

Il a rejoint le CNRS en 1994 et depuis lors, il travaille sur les nanomatériaux au Centre de Recherche sur les Ions, Matériaux et la Photonique (CIMAP, UMR 6252).

Il est fortement impliqué dans la gestion de la recherche en tant que Directeur Adjoint du Groupe De Recherche NACRE (nanocristallites dans diélectrique). Sa recherche porte sur la fabrication et l’étude de films minces à base de Si nanostructuré pour la photonique, le photovoltaïque et les applications microélectroniques.

Il a été et est impliqué dans plusieurs projets européens comme collaborateur ou coordinateur (SINERGIA, LANCER, ENERMAT, MEET) et des projets nationaux (ANR-DUOSIL, ANR PNANO NOMAD et DAPHNES, ANR Blanc SHAMAN et GENESE).

Il s’est impliqué dans le transfert de technologie de par son investissement, dès sa création dans l’incubateur bas-normand "Normandie Incubation" en tant que trésorier. Il est l’auteur ou co-auteur de plus de 180 publications (H 25) et a deux brevets.

Publications :

  • Theoretical investigation of the more suitable rare earth to achieve high gain in waveguide based on silica containing silicon nanograins doped with either Nd3+ or Er3+ ions.
    A. Fafin, J.Cardin, C. Dufour, F. Gourbilleau.
    Optic Express, 22, 2014, 12296.
  • Highly Efficient Infrared Quantum Cutting in Tb3+- Yb3+ Codoped Silicon Oxynitride for Solar Cell Applications.
    Y-T An, C. Labbé, J. Cardin, M. Morales, F. Gourbilleau.
    Adv. Optical Mater. 2013, Volume 1, Issue 11, 855.
  • Influence of the supersaturation on Si diffusion and growth of Si nanoparticles in silicon-rich silica.
    M. Roussel, E. Talbot, P. Pareige, F. Gourbilleau.
    J. Appl. Phys., 113, 2013, 063519.
  • Structural and optical characterization of pure Si-rich nitride thin films
    O. Debieu, R. Pratibha Nalini, J. Cardin, X. Portier, J. Perrière, F. Gourbilleau
    Nanoscale Research Letters, 8, 2013, 31.
  • Thermal Stability of high-k Si-rich HfO2 layers grown by RF magnetron sputtering.
    L. Khomenkova, X. Portier, J. Cardin, F. Gourbilleau
    Nanotechnology, 2010, 21, 285707.