(InAlN Layers and InAlN Heterostructures for Optimized high electron Mobility transistors)
Aide de l’ANR : 684 689 euros ; début : 1er Octobre 2014 ; durée : 36 mois.
référence : ANR-14-CE26-0022
L’effort de recherche du projet LHOM met en place une méthodologie inédite pour étudier les aspects matériaux et technologies qui permettront de générer la production de la prochaine génération de dispositifs à très haute fréquence sous forme de transistors à haute mobilité électronique (HEMT) à base du matériau AlInN.
Dans ce projet, trois institutions publiques se joignent à un industriel pour mener une recherche intensive et itérative qui va de l’optimisation des conditions de croissance des couches et héterostructures à la fabrication, test et validation des performances des HEMTs en terme de forte puissance en gamme d’onde millimétrique.
L’origine de ce travail réside dans le fait qu’il existe encore un gap important à combler au niveau de la qualité du matériau AlInN, ce qui limite considérablement les performances des HEMTs actuels qui, par conséquent, n’atteignent pas encore une qualité commerciale suffisante malgré les très bonnes prévisions théoriques.
La volonté de LHOM est de coordonner nos efforts pour mener un travail de fond, qui n’a encore été entrepris nulle part ailleurs avec l’intensité proposée afin de comprendre les propriétés basiques du ternaire AlInN et de mettre au point les conditions de croissance permettant (i) une production de couches de qualité optimale, (ii) mise au point très minutieuse des héterostructures AlInN/GaN et la réalisation de HEMTs de très haute performance.
Le succès de notre démarche se trouve dans la très grande complémentarité des techniques d’investigation qui sont simultanément mises en œuvre de façon itérative pour le contrôle et l’optimisation des conditions de croissance, ainsi que de la technologie de fabrication des dispositifs HEMTs.
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