Descriptif ANR LHOM
Couches d’InAlN et hétérostructures optimisées pour la future génération de transistors hyperfréquences de puissance
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(InAlN Layers and InAlN Heterostructures for Optimized high electron Mobility transistors)
Coordinateur du projet : Magali Morales (Centre de recherche sur les ions, les matériaux et la photonique)
Aide de l’ANR : 684 689 euros ; début : 1er Octobre 2014 ; durée : 36 mois.
référence : ANR-14-CE26-0022
Complément FEDER pour l’acquisition de deux équipements :
DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) et AFM (Microscope à Force Atomique)
Couches d’InAlN et hétérostructures optimisées pour la future génération de transistors hyperfréquences de puissance
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