PACSMAN

Plateforme d’Analyses Chimiques, Structurales, d'essais mécaniques et de Microscopies Analytiques

Caractériser la matière à l’échelle micro/nanométrique grâce à des équipements de pointe

Le CIMAP possède une solide expertise en caractérisation structurale et microstructurale des matériaux. Sa plateforme regroupe un ensemble d'équipements de pointe dédiés à la préparation et à l'analyse des matériaux, permettant d'étudier leur structure, leur composition chimique et leurs propriétés à différentes échelles.

 

Certains instruments sont mutualisés avec le laboratoire CRISMAT, tandis que d'autres ont été acquis grâce au projet Équipex GENESIS, au projet RIN Plateforme PROSIMS et à plusieurs programmes de financement dédiés aux infrastructures de recherche.

Principalement utilisée par les équipes NIMPH, PM2E et MADIR, la plateforme est également accessible aux autres équipes du laboratoire ainsi qu'à des partenaires académiques et industriels.

Intégrée à la fédération IRMA, elle contribue également au réseau national METSA, qui facilite l'accès aux grands équipements de microscopie électronique.

Équipements disponibles

La plateforme met à disposition des outils dédiés à la préparation d'échantillons et à la caractérisation avancée des matériaux, notamment :

  • DualBeam Helios NanoLab 660 (Thermo Fisher Scientific / FEI) – préparation et usinage d'échantillons par faisceau d'ions focalisé (FIB-SEM) ;
  • Diffractomètre de rayons X D8 Discover (Bruker) – analyse structurale et cristallographique ;
  • Spectromètre de perte d'énergie des électrons (EELS) – analyse chimique et électronique à haute résolution ;
  • SIMS (Spectrométrie de masse d'ions secondaires) – caractérisation chimique de surface et en profondeur ;
  • Microscope électronique en transmission JEOL ARM200F (mutualisé avec le CRISMAT) ;
  • Microscope électronique en transmission JEOL F200 (mutualisé avec le CRISMAT) ;
  • Salle de préparation d'échantillons équipée notamment d'un dimpler, d'une scie à fil, d'un système PIPS et d'autres équipements spécialisés.

Responsable de la plateforme

Marie-Pierre Chauvat

Notreorganisation

Microscopie et analyses structurales

 

  • Caractérisations structurale et chimique
  • Micro-analyses
  • Implantation ionique localisée
  • Sondes locales
  • Cartographies corrélatives
  • Propriétés locales

Spectroscopies et analyses moléculaires

 

  • Analyses chimiques
  • Analyses moléculaires
  • Liaisons chimiques
  • Profil en profondeur
  • Absorption
  • Réflexion

Comportement des matériaux et des structures

  • Fatigue
  • Élasticité, viscoélastique, viscoplasticité
  • Couplage multiphysique (thermique, hydromécanique)

Les équipements de la plateforme

Spectromètre de perte d'énergie des électrons

  • (EFTEM et EELS) installé sur un microscope
  • JEOL ARM 200 doublement corrigé
  • GATAN – QUANTUM ER (965)

Spectrométrie d’énergie de résolution 0,1 eV

  • Champ spectral de 2 keV
  • Acquisition rapide de spectres (1000 spectres/s)
  • Détecteur CCD (2Kx2K)
  • DualEELS
  • STEM EELS
  • Analyses EELS et EDS synchronisées
  • Opérationnel pour 2 tensions (80 kV et 200 kV)
Microscope électronique et à force atomique
Diffractomètre de rayons X D8 Discover - BRUKER AXS
  • Haute Résolution – Géométrie In-Plane
  • Goniomètre horizontal q/2q ultra-GID
  • Berceau d’Euler avec les rotations Chi, Phi, et les translations X, Y, Z
  • Tube céramique KFL Cu 2.2kW twist-tube
  • Différents portes-échantillons, tête goniométrique et platine à inclinaison Zeta, Xi  motorisée

Optique 1aire:

  • Miroir Göbel
  • Monochromateur à 2 réflexions ACC2 (Ge022)
  • Absorbeur automatique, fentes, masques, filtres

Optique 2aire: plusieurs chemins optiques et détecteurs possibles :

  • PathFinder (fentes automatiques ou fentes de sollers 0.2° ou analyseur Ge022) + détecteur 0D: scintillateur NaI
  • Sollers ou fentes automatiques + détecteur 0D-1D (LYNXEYE XE 3° - Si)
  • Détecteur 2D  (Vantec 500)

Suite logicielle (EVA, MULTEX, LEPTOS, PDF-2) – Reconnaissance des optiques

 

PELIICAEN

Contact

Responsable scientifique : Stéphane GUILLOUS

Environnement expérimental

  • Environnement UHV (10⁻⁹ mbar), ensemble des éléments in-situ

>> MEB : Faisceaux d’électrons focalisés

Spécifications techniques

Colonne de type ECLIPSE+ (Tescan France)

  • Energie 500eV - 25keV
  • Résolution jusqu’à 10nm
  • Intensité sur cible jusqu’à 100nA
  • Distance de travail de 23mm
  • Faisceau continu ou pulsé (20ns, max. 1MHz)

    Applications

    • Microscopie électronique (électrons secondaires)
    • Compensation de charges
    • Cathodoluminescence (CL)

    >> FIB : Faisceaux d’ions focalisés

    Spécifications techniques

    Source d’ions de type ECR (Nanogan)

    • Mono et multichargés (ex : Ar8+, Bi18+)
    • Production de l’hydrogène au bismuth à partir de gaz, four (1400°C) et cibles de pulvérisation
    • Energie des faisceaux de 1,5 à 30qkeV (q étant la charge de l’ion, soit environ 600keV max. pour les plus lourds)
    • Faisceaux séparés et sélectionnés par filtre de Wien
    • Faisceaux mélangés avec même rapport masse/charge possibles (Multi-FIB)

    Colonne Ionique EVOL de type COBRA-FIB (Tescan France)

      • Résolution jusqu’à 25nm en imagerie
      • Résolution 100nm en mode spot
      • Intensité sur cible jusqu’à 500nA
      • Flux max 1017ions/cm2/s
      • Distance de travail de 12mm
      • Faisceau continu ou pulsé (<2ns, max. 1MHz)
      • Implantation d’ion unique

      Applications

      • Implantation ionique (Implanting)
      • Micro- et nano-usinage (Milling)
      • Modifications structurales (Swelling)
      • Créations de structures creuses (Hollowing)
      • Microscopies de contrastes (électrons secondaires et ions rétrodiffusés)
      • Analyses par faisceaux d’ions (IBA)
      • Ionoluminescence (IL)

       

       

       

       

       

       

       

      >> Faisceaux lasers

      Spécifications techniques

      • 3 longueurs d’ondes disponibles : 405, 532 et 638nm
      • Faisceaux continus
      • Puissances max de 120mW (405nm) et 200mW
      • Résolution sur cible de 2 - 5µm
      • Focalisation par miroir métallique ½ parabolique
      • Temps d’exposition programmable

      Applications

      • Micro Photoluminescence (µPL)
      • Recuit thermique
      • Contrôle de diffusion
      • Activation de centres colorés

      >> SPM : Microscopies en champ proche (analyse de surface)

      Spécifications techniques

      Tête LiteScope UHV (Nenovision)

      • Scanners piézo XY 80µm x 80µm (rés. 2nm), z 15µm (rés. 100pm)
      • Macromoteurs piézo pour pointe position 11mm x 21 mm (rés. 1µm)
      • Modes tapping et contact
      • Microscopies corrélatives avec FIB, MEB et µPL
      • Enregistrements multicanaux simultanément
      • Modes mécaniques (topographie, élasticité, adhésion et friction)
      • Mode électromécanique (domaines piézoélectriques)
      • Modes électriques (conductivité, potentiels de surface, électrostatisme)
      • Mode magnétique

      Applications

      • Topographie (AFM)
      • Conductivité/résistivité (conductive-AFM)
      • Magnétisme (MFM)
      • Courant tunnel (STM)
      • Potentiel de surface (KPFM)
      • Piézoélectricité (PFM)

      >> Spectroscopies

      Spécifications techniques

      Spectromètre de luminescence : type SPARC-ATM (DELMIC)

      • Type Czerny-Turner
      • Plage de longueur d’onde 200nm – 1000nm
      • Résolution spectrale jusqu’à 0.09nm
      • Pilotage scanners FIB, MEB et SPM
      • Imagerie hyperspectrale
      • Cameras UV et VIS/NIR à haute efficacité quantique
      • Photo multiplicateur
      • Miroir ½ parabolique métallique pour collection et focalisation laser
      • Cartouches de filtres motorisés

      Applications

      • Temps de vol d’ions rétrodiffusés (TOF-L/MEIS)
      • Temps de vol d’ions secondaires (TOF-SIMS)
      • Photons induits par interaction He-He (FIBIP)
      • Luminescence hyperspectrale
      • Implantation ionique déterministe assistée par temps de vol (TOF-SII)
      • Courant-Tension (I-V)
      • Force-distance (F-z)

      >> Equipements transverses

      Détecteurs

      • Electrons secondaires (SED)
      • Galettes MCP pour TOF-LEIS
      • Faraday amplifiée pour TOF-SIMS
      • Mesures de courant sur échantillon (10⁻¹⁴ – 10⁻⁶ A)

      Tables de déplacements 4 axes

      • Déplacement ensemble SPM+échantillon (préc. 1µm)
      • Rotation de 90 à 0° avec l’axe faisceau d’ions (rés. 0,1°)

      SAS de transfert UHV

      • Insertion et retrait manuels par canne de transfert
      • Assistance par 4 caméras
      • Porte échantillon de type SHOS (Omicron)
      • Pas de remise à l’air de l’enceinte d’expérience
      Nanospace
      • Responsable technique : Yann DOUBLET
      • Responsable scientifique : Fabrice GOURBILLEAU

      Spécifications techniques

      Dans un environnement UHV, la résolution en microscopie électronique à balayage est inférieure à 4 nm et elle est de 12 nm en FIB Xénon avec une vitesse d’abrasion 50 fois supérieure à celle d’une FIB Gallium.Pour ce qui est du TOF-SIMS, la résolution en masse est de 4500 sur le 28Si.La résolution en imagerie est inférieure à 60 nm sur un domaine en masse de 0 à 500u.

      Applications

      • Gravure avec un faisceau d'ions Xe (cas d'un dessin Bitmap)

      • Analyse par spectroscopie d'ions secondaires en temps de vol (TOF-SIMS) et cartographie 2D