Cet article explore l’impact des conditions d’oxydation sur les films de TiN, matériau essentiel en microélectronique pour ses propriétés de barrière de diffusion et de conductivité.
En ajustant l’oxygénation durant la croissance par ALD, les auteurs montrent qu’il est possible de contrôler les orientations cristallographiques (111) et (002) des films, optimisant ainsi leur résistance électrique et leur indice de réfraction. Ces travaux s’inscrivent dans le cadre du laboratoire commun IPDN, associant les laboratoires CIMAP, CRISMAT, GREYC et l’entreprise MURATA à Caen, et sont cruciaux pour améliorer la performance des films de TiN dans les dispositifs électroniques et optiques de haute technologie.
Fig : Evolution de la résistance de surface en fonction de la concentration totale en oxygène pour deux types de processus d’oxydation : le processus d’oxydation intégré (orange) et le processus d’oxydation en surface (vert).
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